Résistivité et propriétés optiques sous pression normale, résistivité sous haute pression de monochalcogénures d'ytterbium divalent

Authors:

Abstract
Dans ce travail, nous avons étudié le comportement, à pression normale et sous haute pression, de trois composés de l'ytterbium divalent : YbS, YbSe, YbTe au moyen de mesures de résistances électriques, entre 77 °K et 300 °K. Le domaine de pressions est 1 bar-17 kbar. Les variations sont faibles pour YbS et YbSe. Par contre, YbTe voit sa résistivité diminuer d'un facteur 100, son énergie d'activation de 0,43 eV à 0,33 eV entre 1 bar et 16 kbar. Il y a plein accord dans les variations en pression et en température. Des mesures d'absorption optique à pression atmosphérique complètent les données électriques

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