Untersuchungen an halbleitenden Indiumoxydschichten

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Abstract
Nach dem „Sprühverfahren”︁ wurden n‐leitende Indiumoxydschichten mit Schichtdicken zwischen 0,1, und 0,5 μm auf Glasplatten hergestellt und die Herstellungsbedingungen dieser Schichten untersucht. Die Leitfähigkeit der Schichten liegt je nach Dotierung zwischen 1,5 × 102 und 4,3 × 103 Ω−1cm−1 und die Konzentration and freien Ladungsträgern zwischen 1019 und 6 × 1020 cm−3. Die Beweglichkeit der freien Ladungsträger hängt erheblich von der jeweiligen Dotierung ab und wird vermutlich durch Streuung an den Korngrenzen der mikrokristallinen Schicht bestimmt. Die Schichten sind im sichtbaren Spektralbereich absorptionsfrei und zeigen im Ultrarot wegen der hohen Konzentration freier Ladungsträger ein hohes Reflexionsvermögen.