ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ТОНКИХ ПЛЕНОК Ge2Sb2Te5 МЕТОДОМ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ СКАНИРУЮЩЕЙ КАЛОРИМЕТРИИ
Authors:
- А.в. БабичАБА.в. Бабич
- М.е. ФедянинаМФМ.е. Федянина
- Д.а. ГолубеваДГД.а. Голубева
- Е.п. КицюкЕКЕ.п. Кицюк
- А.а. ШерченковАША.а. Шерченков
- А.о. ЯкубовАЯА.о. Якубов
- 8 September 2026
- journal article
- Published by Technosphera JSC in Nanoindustry Russia
- Vol. 19 (14s)
Abstract
В работе исследована кинетика кристаллизации тонких пленок материала Ge2Sb2 Te 5. Показано, что время кристаллизации, а значит, и время работы устройств на основе данного материала в значительной степени зависят от температуры, что открывает возможность оптимизации режимов работы устройств.This publication has 16 references indexed in Scilit:
- Femtosecond laser irradiation of Ge-Rich Ge-Sb-Te in thin films and multilayer structures for phase-change memoryApplied Surface Science, 2025
- A Comprehensive Review of Phase Change Memory for Neuromorphic Computing: Advancements, Challenges, and Future DirectionsEnergy Storage, 2025
- Phase-change material based metasurface absorber surpassing 90% solar-thermal conversion efficiencyApplied Thermal Engineering, 2025
- Design of four-level phase-change memory Ge2Sb2Te5/Ge50Te50 bilayer films and study of their crystallization behaviorsChemical Engineering Journal, 2025
- 650 ps SET speed in Ge2Sb2Te5 phase change memory induced by TiO2 dielectric crystal planeInfoMat, 2024
- Electronic transport in amorphous Ge2Sb2Te5 phase-change memory line cells and its response to photoexcitationApplied Physics Letters, 2024
- Cylindrical laser beams for a-Ge2Sb2Te5 thin film modificationJournal of Non-Crystalline Solids, 2024
- Recent Advances on Neuromorphic Devices Based on Chalcogenide Phase‐Change MaterialsAdvanced Functional Materials, 2020
- Integrated all-photonic non-volatile multi-level memoryNature Photonics, 2015
- Estimation of kinetic parameters for the phase change memory materials by DSC measurementsJournal of Thermal Analysis and Calorimetry, 2014