<mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">Ti</mml:mi><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">O</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>

TiO2 thin films were grown by an atomic-layer-deposition process at growth temperatures ranging from

<mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mn>200</mml:mn><mml:mspace width="0.3em"></mml:mspace><mml:mtext>to</mml:mtext><mml:mspace                               width="0.3em"></mml:mspace><mml:mn>300</mml:mn><mml:mo>°</mml:mo><mml:mi mathvariant="normal">C</mml:mi></mml:mrow></mml:math>

200to300°C on Ru and Si substrates using

<mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">Ti</mml:mi><mml:msub><mml:mrow><mml:mo>[</mml:mo><mml:mi                               mathvariant="normal">O</mml:mi><mml:mi mathvariant="normal">C</mml:mi><mml:mi mathvariant="normal">H</mml:mi><mml:msub><mml:mrow><mml:mo>(</mml:mo><mml:mi                               mathvariant="normal">C</mml:mi><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">H</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:mo>)</mml:mo></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:mo>]</mml:mo></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>4</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>

Ti[OCH(CH3)2]4 and

<mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">H</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:mi                               mathvariant="normal">O</mml:mi></mml:mrow></mml:math>

H2O as metal precursor and oxygen source, respectively, for metal-insulator-metal capacitor application in dynamic random access memories. The saturated film growth rate on Ru and Si substrates was 0.034 and

<mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mn>0.046</mml:mn><mml:mspace width="0.3em"></mml:mspace><mml:mi>nm</mml:mi><mml:mo>∕</mml:mo><mml:mtext>cycle</mml:mtext></mml:mrow></mml:math>

0.046nm∕cycle , respectively. The

<mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">Ti</mml:mi><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">O</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>

TiO2 film growth on a Ru substrate showed a rather long incubation period and the incubation period decreased with increasing

<mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">Ti</mml:mi><mml:msub><mml:mrow><mml:mo>[</mml:mo><mml:mi                               mathvariant="normal">O</mml:mi><mml:mi mathvariant="normal">C</mml:mi><mml:mi mathvariant="normal">H</mml:mi><mml:msub><mml:mrow><mml:mo>(</mml:mo><mml:mi                               mathvariant="normal">C</mml:mi><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">H</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:mo>)</mml:mo></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:mo>]</mml:mo></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>4</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>

Ti[OCH(CH3)2]4 pulse time, whereas the

<mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">H</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:mi                               mathvariant="normal">O</mml:mi></mml:mrow></mml:math>

H2O pulse time had almost no influence on the incubation period. A growth rate transition, from low to high values, (thickness

<mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mn>7</mml:mn><mml:mtext>-</mml:mtext><mml:mn>8</mml:mn><mml:mspace width="0.3em"></mml:mspace><mml:mi>nm</mml:mi></mml:mrow></mml:math>

7-8nm ) was observed when the films were grown at temperatures

<mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mo></mml:mo><mml:mn>250</mml:mn><mml:mo>°</mml:mo><mml:mi mathvariant="normal">C</mml:mi></mml:mrow></mml:math>

250°C , whereas the films grown at lower temperatures did not show the transition. The transition was due to the structural change of the film from an amorphous/nanocrystalline to the well-crystallized polycrystalline anatase phase. The

<mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">Ti</mml:mi><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">O</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>

TiO2 films grown at temperatures

<mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mo></mml:mo><mml:mn>250</mml:mn><mml:mo>°</mml:mo><mml:mi mathvariant="normal">C</mml:mi></mml:mrow></mml:math>

250°C showed a dielectric constant of <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mo>∼</mml:mo><mml:mn>35</mml:mn></mml:mrow></mml:math>∼35 . A

<mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mn>14</mml:mn><mml:mtext>-</mml:mtext><mml:mi>nm</mml:mi></mml:mrow></mml:math>

14-nm -thick

<mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">Ti</mml:mi><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">O</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>

TiO2 film showed an equivalent oxide thickness of

<mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mn>1.7</mml:mn><mml:mspace width="0.3em"></mml:mspace><mml:mi>nm</mml:mi></mml:mrow></mml:math>

1.7nm and a leakage current density of

<mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mn>5</mml:mn><mml:mo>×</mml:mo><mml:msup><mml:mrow><mml:mn>10</mml:mn></mml:mrow><mml:mrow><mml:mo>−</mml:mo><mml:mn>6</mml:mn></mml:mrow></mml:msup><mml:mspace                               width="0.3em"></mml:mspace><mml:mi mathvariant="normal">A</mml:mi><mml:mo>∕</mml:mo><mml:msup><mml:mi>cm</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msup></mml:mrow></mml:math>

5×10−6A∕cm2 at

<mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mn>1</mml:mn><mml:mspace width="0.3em"></mml:mspace><mml:mi mathvariant="normal">V</mml:mi></mml:mrow></mml:math>

1V .

Publications with shared reference:

0 publications found