Euis Sustini
Current Organizations / Institutes
The organizations/institutes from the scholar's latest article
Research Subjects
Research Interests
Euis Sustini has a total of 7 co-authors. Here are the top co-authors by number of shared publications:
- Abdul Wahidin Nuayi
Universitas Negeri Gorontalo
1 shared publication - Agus Subagyo
Universitas Jenderal Achmad Yani (UNJANI), Kota Cimahi, Jawa Barat, Indonesia
1 shared publication - Fatimah Arofiati Noor
Physics and Technology of Advanced Materials Research Division, Department of Physics, Faculty of Mathematics and Natural Sciences, Institut Teknologi Bandung
1 shared publication - Heri Sutanto
Department of Physics, Faculty of Science and Mathematics, Diponegoro University, Semarang, Indonesia
1 shared publication Hery Saeful Azis
Institut Teknologi Bandung
1 shared publication- Irzaman Irzaman
Department of Physics, IPB University, Bogor, Indonesia
1 shared publication
Latest Publications
- 11 December 2023
- Published by Taylor & Francis in Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures
- Vol. 32 (4) , 366-379
Effect of the annealing process on Ni catalyst film grown using the vacuum thermal evaporation method
- 11 December 2023
- Published by Taylor & Francis in Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures
- Vol. 32 (4) , 366-379
Effect of the annealing process on Ni catalyst film grown using the vacuum thermal evaporation method
- Open Access
- 13 July 2006
- Published by Lembaga Penelitian dan Pengabdian kepada Masyarakat ITS in Jurnal Fisika dan Aplikasinya
- Vol. 2 (2) , 060203
Pengaruh Luas Kontak pada Kualitas MSM pGaSb
Dalam tulisan ini film tipis semikonduktor GaSb telah ditumbuhkan dengan metoda MOCVD vertikal pada tekanan 50 torr di atas subtsrat SI GaAs(100). Film mempunyai type p dengan permukaan yang cukup homogen serta orientasi film didominasi (200). Film yang ditumbuhkan pada temperatur 520 oC dengan rasio V/III=1 mempunyai mobilitas 68,57 cm2/Vs dan konsentrasi 1,9 x 1018 cm−3. Metal Semikonduktor Metal (MSM) Al-pGaSb telah dibuat menggunakan dua metoda, yaitu metoda sederhana evaporasi dengan luas kontak 0,02 cm2 dan metoda UV litografi dengan luas kontak 0,009 cm2. MSM bersifat ohmik kontak dengan resistansi spesifik Rc menurun terhadap luas kontak yang digunakan.
- 13 July 2006
- Published by Lembaga Penelitian dan Pengabdian kepada Masyarakat ITS in Jurnal Fisika dan Aplikasinya
- Vol. 2 (2) , 060203
Open AccessPengaruh Luas Kontak pada Kualitas MSM pGaSb
Dalam tulisan ini film tipis semikonduktor GaSb telah ditumbuhkan dengan metoda MOCVD vertikal pada tekanan 50 torr di atas subtsrat SI GaAs(100). Film mempunyai type p dengan permukaan yang cukup homogen serta orientasi film didominasi (200). Film yang ditumbuhkan pada temperatur 520 oC dengan rasio V/III=1 mempunyai mobilitas 68,57 cm2/Vs dan konsentrasi 1,9 x 1018 cm−3. Metal Semikonduktor Metal (MSM) Al-pGaSb telah dibuat menggunakan dua metoda, yaitu metoda sederhana evaporasi dengan luas kontak 0,02 cm2 dan metoda UV litografi dengan luas kontak 0,009 cm2. MSM bersifat ohmik kontak dengan resistansi spesifik Rc menurun terhadap luas kontak yang digunakan.